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半导体光电

半导体光电

所属分类:科技期刊
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《半导体光电》(双月刊)创刊于1976年,由中国电子科技集团公司第四十四研究所(重庆光电技术研究所)主办。专业技术性刊物。刊载半导...
  • 主管单位:中国电子科技集团公司
  • 主办单位:信产部电子44所
  • 国际刊号:1001-5868
  • 国内刊号:50-1092/TN
  • 出版地方:重庆
  • 发行周期:双月刊
  • 审稿时间:1个月内
半导体光电正品刊物 半导体光电杂志社投稿半导体光电杂志
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半导体光电杂志社简介

《半导体光电》(双月刊)创刊于1976年,由中国电子科技集团公司第四十四研究所(重庆光电技术研究所)主办。专业技术性刊物。刊载半导体光电器件、光通信系统和光传输、光存贮、光计算、处理技术,以及摄像、传感、遥感等方面的研究成果、学术论文、学位论文和工作报告,介绍光学、光子学、量子电子学、光电子学领域的新材料、新结构、新工艺、新器件,报道国内外该领域的研究和发展方向。读者对象为半导体光电专业的科技人员和大专院校师生。


《半导体光电》荣获重庆市首届十佳期刊称号,1999年;信息产业部1999-2000年度优秀电子期刊称号、信息产业部优秀电子期刊、重庆市优秀期刊。


半导体光电杂志栏目设置

动态综述、光电器件、材料、结构及工艺、光通信、光电技术应用。、

半导体光电期刊投稿要求

(1)来稿文责自bai负。文稿务必主题明确,论述合理,逻辑严谨,数据可靠,叙述清楚,文字精炼。内容应保守国家dao机密,引用他人作品应给出来源。

(2) 文稿一般不超过6 000 字,综述稿不超过8 000 字,其他类型的稿件酌减。属于综述、研究论文和技术报告的稿件,应附英文题名、作者名、单位名、摘要和关键词。基金项目应注明编号。

?(3)摘要应包括目的、方法、结果和结论四个要素,也就是用简洁的语言说明文章要解决的问题,主要工作过程及所采用的技术手段和方法,研究所获得的实验数据、结果及其意义。篇幅以200~250 字为宜。

?(4) 关键词以5~8 个为宜。为便于文献检索,应尽可能提供中图分类号。

?(5) 文中涉及的物理量和计量单位应符合国家有关标准。计量单位请用GB3100 - 3102 - 93《量和单位》规定的法定计量单位。注意区分各物理量符号的文种、大、小写、正、斜体(矢量和矩阵用黑斜体)、上、下角标等。

?(6) 插图和表格应有图题和表题。插图应采用计算机制作,勿用截图。本刊为黑白印刷,请勿用彩色插图。

?(7) 文稿中引用他人的成果,务请写明原作者姓名、题名、来源,一并在参考文献中给出,并在正文中相应位置进行标示,否则责任由来稿人自负。参考文献只择主要的。文献的著录格式严格按照以下形式书写(含标点符号):

1) 专著:作者.书名.版本(第1版不著录)[M].出版地:出版者,出版年:起止页码.

2) 译著:作者.书名[M].译者,译.出版地:出版者,出版年:起止页码.

3) 期刊:作者.题名[J].刊名,出版年份,卷(期):起止页码.

4) 会议论文集:作者.题名[C]// 编者.论文集名.出版地:出版者,出版年:起止页码.

5) 学位论文:作者.题名:[学位论文][D].保存地:保存者,年份.

6) 专利文献:专利申请者.题名.专利国别,专利号[P].公告日期或公开日期.

7) 标准:责任者.标准代号 标准名称[S].出版地:出版者,出版年.

8) 电子文献标注格式:主要责任者.题名:其它题名信息[文献类型标志/文献载体标志].出版地:出版者,出版年(更新或修改日期)[引用日期].获取和访问路径.

9) 注意事项

(1)参考文献中的外文作者名、外文刊名的缩写一律不用缩写点。

(2)外文著者一律用姓在名前,采用首字母缩写(中国人用全名不缩写)。姓和名之间不加逗号,名2个以上大写首字母,2名间空一格。文献作者3名以内全部列出,4名以上则列前3人,后加“et al”。各著者间不加“and”、“和”等,应用逗号分开。

(3)外文题名第一个单词首字母大写,其余单词(专有名词除外)均不大写。

(4)外文刊名应按国际标准规定缩写,不加缩写点。

?(8)来稿请注明作者详细通信地址、邮编、联系电话,以及电子邮箱。

?(9) 本刊编辑部将在收到稿件两个月之内对来稿做出取舍,如逾期未收到刊用通知,作者有权对稿件另行处理。稿件一经刊用,本刊将酌付稿酬并赠送样刊。

(10)为扩大《半导体光电》的读者面与影响力,本刊已与《中国知网(CNKI)》独家签署了光盘出版和上网协议。作者若不同意刊登在本刊上的论文制作成光盘版或上网,请来稿时具体说明;若未说明者,本刊视为同意上网。光盘版和上网等的稿费已包含在本刊支付的稿费中。


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